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烧结温度对碳化硅陶瓷的影响

2018-09-27

详细介绍

 碳化硅陶瓷是由反应烧结而成,烧结温度对碳化硅陶瓷的产品质量至关重要,下面为大家介绍下烧结温度对碳化硅陶瓷的影响。

1)烧结温度与碳化硅陶瓷的致密程度及力学性能紧密相关。在试验条件下,烧结温度在2160~2220℃区间,碳化硅陶瓷烧结体相对密度超过96%,可以参照上述试验温度范围制定碳化硅陶瓷生产的工艺控制温度。
2)在试验条件下,烧结温度为2220℃时烧结体的密度最高, 达到相对密度98%; 抗弯强度39913MPa,维氏硬度2318GPa也是最大值。抗弯强度随密度变化的关系近似为线性关系。维氏硬度值随温度的变化趋势与抗弯强度的变化趋势相仿,但波动范围较小。
3)XRD检测结果表明,烧结体的XRD 扫描谱线与原料粉体的谱线符合程度较高,说明烧结过程中没有相转化发生,这和原料粉体以α2SiC为主的微粉是吻合的。但250℃高温下烧结的制品几条主要谱线的强度发生较大的变化,估计与晶粒长大有关,需要进一步探讨。
4)断口形貌SEM照片显示出,烧结温度偏低时烧结体的孔隙较多,密度较低;合适的烧结温度下晶粒开始略有长大,烧结体致密度较高;过高的烧结温度引起晶粒异常长大,反而结构疏松,密度下降。对于密度以及抗弯强度和硬度数值,最佳烧结温度是一致的,最佳温度点在2200℃附近。

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